Framleiðandi Vöru númer:
IPI100N08N3GHKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI100N08N3GHKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12804329
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI100N08N3GHKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2410 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI100N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000474192
IPI100N08N3 G-DG
IPI100N08N3 G
SP000680710
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR220NPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
IRF7464PBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
IPB80N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3