Framleiðandi Vöru númer:
IPI086N10N3GXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI086N10N3GXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
270 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803122
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI086N10N3GXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3980 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI086
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IPI086N10N3 G-DG
IFEINFIPI086N10N3GXKSA1
2156-IPI086N10N3GXKSA1
IPI086N10N3G
IPI086N10N3 G
SP000485982
SP000683070
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP65R420CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
IPI037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
IRF6215L
MOSFET P-CH 150V 13A TO262