Framleiðandi Vöru númer:
IPI037N08N3GHKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI037N08N3GHKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12803073
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI037N08N3GHKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8110 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
214W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI037N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000454278
IPI037N08N3 G-DG
IPI037N08N3 G
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFSL3207ZPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
880
HLUTARNÁMR
IRFSL3207ZPBF-DG
Einingaverð
1.46
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB80N06S405ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IRF3707S
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
IRFR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK