Framleiðandi Vöru númer:
IPI024N06N3GHKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI024N06N3GHKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12803483
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI024N06N3GHKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 196µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
23000 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI024N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPI024N06N3 G
IPI024N06N3 G-DG
SP000451486
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPI024N06N3GXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPI024N06N3GXKSA1-DG
Einingaverð
1.35
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
PSMN2R0-60ES,127
FRAMLEIÐANDI
NXP Semiconductors
Fjöldi í boði
7334
HLUTARNÁMR
PSMN2R0-60ES,127-DG
Einingaverð
1.30
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IRFSL3206PBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1600
HLUTARNÁMR
IRFSL3206PBF-DG
Einingaverð
1.22
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3