Framleiðandi Vöru númer:
IPG20N10S4L22AATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPG20N10S4L22AATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 100V 20A 60W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Birgðir:
22047 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804374
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPG20N10S4L22AATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1755pF @ 25V
Kraftur - hámark
60W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount, Wettable Flank
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-10
Grunnvörunúmer
IPG20N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
IPG20N10S4L22AATMA1TR
IPG20N10S4L22AATMA1DKR
IPG20N10S4L22AATMA1CT
SP001091984
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF9952TR
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
IRF5851
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
IRF7316GTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO