Framleiðandi Vöru númer:
IPDD60R125G7XTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPDD60R125G7XTMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Birgðir:
1692 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803150
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPDD60R125G7XTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ G7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 320µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1080 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
120W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HDSOP-10-1
Pakki / hulstur
10-PowerSOP Module
Grunnvörunúmer
IPDD60
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,700
Önnur nöfn
IPDD60R125G7XTMA1DKR
SP001632876
2156-IPDD60R125G7XTMA1
IPDD60R125G7XTMA1CT
IPDD60R125G7XTMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPAN70R750P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
IPS60R1K5CEAKMA1
CONSUMER
IRF6618TRPBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
