Framleiðandi Vöru númer:
IPD80R280P7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD80R280P7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
10179 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12805344
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD80R280P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200 pF @ 500 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
101W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD80R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD80R280P7ATMA1TR
INFINFIPD80R280P7ATMA1
IPD80R280P7ATMA1CT
IPD80R280P7ATMA1DKR
SP001422596
2156-IPD80R280P7ATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
IRFB7430PBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220
