Framleiðandi Vöru númer:
IPD70R950CEAUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD70R950CEAUMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 700 V 7.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
12800431
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD70R950CEAUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
700 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
68W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD70
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD70R950CEAUMA1CT
IPD70R950CEAUMA1DKR
SP001466970
2156-IPD70R950CEAUMA1
ROCINFIPD70R950CEAUMA1
IPD70R950CEAUMA1-DG
IPD70R950CEAUMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD8N80K5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
8159
HLUTARNÁMR
STD8N80K5-DG
Einingaverð
1.02
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPD70R900P7SAUMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
12655
HLUTARNÁMR
IPD70R900P7SAUMA1-DG
Einingaverð
0.21
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSP125 E6433
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPA65R420CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
