Framleiðandi Vöru númer:
IPD65R600E6ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD65R600E6ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
12803043
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD65R600E6ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ E6
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
63W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD65R600
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP001117096
2156-IPD65R600E6ATMA1
ROCINFIPD65R600E6ATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD11N60DM2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1905
HLUTARNÁMR
STD11N60DM2-DG
Einingaverð
0.67
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPD70R600P7SAUMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
12894
HLUTARNÁMR
IPD70R600P7SAUMA1-DG
Einingaverð
0.26
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7477
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
IRF9530NS
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
