Framleiðandi Vöru númer:
IPD60R180C7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD60R180C7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
2495 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800465
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD60R180C7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 260µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1080 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
68W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD60R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
448-IPD60R180C7ATMA1TR
448-IPD60R180C7ATMA1DKR
448-IPD60R180C7ATMA1CT
2156-IPD60R180C7ATMA1
IFEINFIPD60R180C7ATMA1
IPD60R180C7ATMA1-DG
SP001277630
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
IPA90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
IPI06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
