Framleiðandi Vöru númer:
IPD5N25S3430ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD5N25S3430ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Birgðir:
3038 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801031
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD5N25S3430ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
422 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
41W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3-313
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD5N25
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
INFINFIPD5N25S3430ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1-DG
2156-IPD5N25S3430ATMA1
448-IPD5N25S3430ATMA1CT
SP000876584
448-IPD5N25S3430ATMA1TR
448-IPD5N25S3430ATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSP322PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
