Framleiðandi Vöru númer:
IPD50R800CEATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD50R800CEATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
12799696
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
E7v6
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD50R800CEATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
280 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
60W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD50R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD50R800CEATMA1-DG
SP001117710
IPD50R800CEATMA1TR
IPD50R800CEATMA1CT
IPD50R800CEATMA1DKR
ROCINFIPD50R800CEATMA1
2156-IPD50R800CEATMA1-ITTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD8NM50N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1231
HLUTARNÁMR
STD8NM50N-DG
Einingaverð
0.88
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPD50R800CEAUMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
5199
HLUTARNÁMR
IPD50R800CEAUMA1-DG
Einingaverð
0.23
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD50R280CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
