Framleiðandi Vöru númer:
IPD50R650CEBTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD50R650CEBTMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
12801802
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD50R650CEBTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
47W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD50R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP000992078
IPD50R650CECT-DG
ROCINFIPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1CT
IPD50R650CECT
IPD50R650CETR-DG
2156-IPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1DKR
IPD50R650CEDKR-DG
-IPD50R650CE
IPD50R650CEBTMA1TR
IPD50R650CE
IPD50R650CETR
IPD50R650CEDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD10N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
6542
HLUTARNÁMR
STD10N60M2-DG
Einingaverð
0.53
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRF3004WL
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
BSP317PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
AUIRF3710ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
