Framleiðandi Vöru númer:
IPD35N12S3L24ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD35N12S3L24ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
9685 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800948
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD35N12S3L24ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
120 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 39µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
71W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD35N12
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD35N12S3L24ATMA1CT
2156-IPD35N12S3L24ATMA1
IPD35N12S3L24ATMA1DKR
SP001398656
IPD35N12S3L24ATMA1TR
INFINFIPD35N12S3L24ATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPL60R095CFD7AUMA1
MOSFET N CH
IPB05N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7