Framleiðandi Vöru númer:
IPD30N03S2L20ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD30N03S2L20ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Birgðir:
5035 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12848778
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD30N03S2L20ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 23µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
60W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3-11
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD30N03
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP000254466
2156-IPD30N03S2L20ATMA1
IPD30N03S2L20ATMA1CT
IPD30N03S2L-20-DG
IPD30N03S2L20ATMA1TR
INFINFIPD30N03S2L20ATMA1
IPD30N03S2L20ATMA1DKR
IPD30N03S2L-20
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQA11N90
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
FDA8440
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
NTD110N02R-001
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
