Framleiðandi Vöru númer:
IPD122N10N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD122N10N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
29796 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800494
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD122N10N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
59A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12.2mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
94W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD122
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD122N10N3GATMA1DKR
IPD122N10N3GATMA1TR
SP001127828
IPD122N10N3GATMA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BUZ31
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
