Framleiðandi Vöru númer:
IPD10N03LA
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD10N03LA-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Birgðir:
13063960
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD10N03LA Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1358 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3-11
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD10N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP000014983
IPD10N03LAT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDD8880
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
13967
HLUTARNÁMR
FDD8880-DG
Einingaverð
0.27
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK