Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPD068N10N3GBTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD068N10N3GBTMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
RFQ á netinu
12803839
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD068N10N3GBTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD068N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPD068N10N3GBTMA1-DG
Gagnaplakks
IPD068N10N3GBTMA1
Gagnablöð
IPD068N10N3 G
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-DG
IPD068N10N3GBTMA1TR
SP000469892
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD110N8F6
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2459
HLUTARNÁMR
STD110N8F6-DG
Einingaverð
0.65
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STD100N10F7
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
5739
HLUTARNÁMR
STD100N10F7-DG
Einingaverð
1.10
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPD068N10N3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
10507
HLUTARNÁMR
IPD068N10N3GATMA1-DG
Einingaverð
0.86
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFZ46NPBF
MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
IRFS23N15DTRLP
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
IRF40B207
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
IPP80CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO220-3