Framleiðandi Vöru númer:
IPD042P03L3GBTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD042P03L3GBTMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 70A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Birgðir:
12803002
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD042P03L3GBTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
12400 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3-11
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD042P
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD042P03L3GBTMA1TR
IPD042P03L3 G
IPD042P03L3 GTR-DG
SP000473922
IPD042P03L3 GDKR-DG
IPD042P03L3 GCT
IPD042P03L3 GCT-DG
IPD042P03L3G
IPD042P03L3 GDKR
IPD042P03L3GBTMA1CT
IPD042P03L3GBTMA1DKR
IPD042P03L3GXT
IPD042P03L3 G-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD042P03L3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
8592
HLUTARNÁMR
IPD042P03L3GATMA1-DG
Einingaverð
0.80
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPI90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
IRF7700
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP
IPN80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
