Framleiðandi Vöru númer:
IPD038N06N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD038N06N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
2492 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804489
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD038N06N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8000 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
188W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD038
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD038N06N3GATMA1CT
2156-IPD038N06N3GATMA1
SP000397994
IFEINFIPD038N06N3GATMA1
IPD038N06N3GATMA1TR
IPD038N06N3GATMA1DKR
IPD038N06N3 G
IPD038N06N3 G-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7820PBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
IPP70N10S312AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
IPB60R040C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
