Framleiðandi Vöru númer:
IPB80P04P4L08ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB80P04P4L08ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
12800357
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB80P04P4L08ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 120µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5430 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
75W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB80P
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB80P04P4L08ATMA1-DG
SP000840208
448-IPB80P04P4L08ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SQM50P04-09L_GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1501
HLUTARNÁMR
SQM50P04-09L_GE3-DG
Einingaverð
1.01
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPB80P04P4L08ATMA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1996
HLUTARNÁMR
IPB80P04P4L08ATMA2-DG
Einingaverð
0.91
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPI90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
IAUA200N04S5N010AUMA1
MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
