Framleiðandi Vöru númer:
IPB80P04P407ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB80P04P407ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
12804013
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB80P04P407ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6085 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
88W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB80P
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB80P04P407ATMA1-DG
SP000842038
448-IPB80P04P407ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB80P04P407ATMA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1904
HLUTARNÁMR
IPB80P04P407ATMA2-DG
Einingaverð
0.97
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPW60R120C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
IPP65R110CFDXKSA1
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3
IRFS38N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
