Framleiðandi Vöru númer:
IPB80P04P405ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB80P04P405ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
12803668
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB80P04P405ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10300 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB80P
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP000652618
IPB80P04P405ATMA1-DG
448-IPB80P04P405ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB80P04P405ATMA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1975
HLUTARNÁMR
IPB80P04P405ATMA2-DG
Einingaverð
1.27
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SUM110P04-05-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
46039
HLUTARNÁMR
SUM110P04-05-E3-DG
Einingaverð
2.07
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
IRFZ46NLPBF
MOSFET N-CH 55V 53A TO262
IPL60R255P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
