Framleiðandi Vöru númer:
IPB80N06S2L11ATMA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB80N06S2L11ATMA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
923 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12802443
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB80N06S2L11ATMA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 93µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2075 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
158W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB80N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
INFINFIPB80N06S2L11ATMA2
IPB80N06S2L11ATMA2-DG
448-IPB80N06S2L11ATMA2TR
448-IPB80N06S2L11ATMA2DKR
SP001061398
2156-IPB80N06S2L11ATMA2
448-IPB80N06S2L11ATMA2CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB140NF55T4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
989
HLUTARNÁMR
STB140NF55T4-DG
Einingaverð
1.53
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSC240N12NS3 G
MOSFET N-CH 120V 37A TDSON-8-1
AUIRFS8409TRL
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
AUIRF1405
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
