Framleiðandi Vöru númer:
IPB80N04S2H4ATMA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB80N04S2H4ATMA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
712 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800016
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB80N04S2H4ATMA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB80N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
INFINFIPB80N04S2H4ATMA2
IPB80N04S2H4ATMA2-DG
448-IPB80N04S2H4ATMA2CT
SP001058130
448-IPB80N04S2H4ATMA2DKR
2156-IPB80N04S2H4ATMA2
448-IPB80N04S2H4ATMA2TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD90N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD160N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
IPP065N06LGAKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
