Framleiðandi Vöru númer:
IPB65R110CFDAATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
1000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12805519
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB65R110CFDAATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
31.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
277.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB65R110
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB65R110CFDAATMA1DKR
IPB65R110CFDAATMA1TR
SP000896402
IPB65R110CFDAATMA1CT
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPI45N06S4L08AKSA3
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
IRFS3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
IRF8302MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET