Framleiðandi Vöru númer:
IPB65R065C7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB65R065C7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
12801448
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB65R065C7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ P6
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
557 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
171W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB65R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP001080110
2156-IPB65R065C7ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB37N60DM2AG
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STB37N60DM2AG-DG
Einingaverð
3.16
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
IPB65R065C7ATMA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
5227
HLUTARNÁMR
IPB65R065C7ATMA2-DG
Einingaverð
3.94
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRF2907Z
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
IPI90R340C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
IPW60R125C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
