Framleiðandi Vöru númer:
IPB60R280P7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB60R280P7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
1086 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12802864
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB60R280P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 190µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
761 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
53W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB60R280
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB60R280P7ATMA1-DG
SP001664942
IPB60R280P7ATMA1DKR
IPB60R280P7ATMA1TR
IPB60R280P7ATMA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPU06N03LAGXK
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
IRFR6215CPBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
