IPB60R280P7ATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPB60R280P7ATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPB60R280P7ATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Birgðir:

1086 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12802864
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPB60R280P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 190µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
761 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
53W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB60R280

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB60R280P7ATMA1-DG
SP001664942
IPB60R280P7ATMA1DKR
IPB60R280P7ATMA1TR
IPB60R280P7ATMA1CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IPU06N03LAGXK

MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

infineon-technologies

IPI023NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

infineon-technologies

IRFR6215CPBF

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

infineon-technologies

IRF2807ZSPBF

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK