IPB60R180C7ATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPB60R180C7ATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPB60R180C7ATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Birgðir:

12800910
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPB60R180C7ATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 260µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1080 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
68W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Grunnvörunúmer
IPB60R180

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB60R180C7ATMA1DKR
2156-IPB60R180C7ATMA1
ROCINFIPB60R180C7ATMA1
IPB60R180C7ATMA1CT
IPB60R180C7ATMA1TR
IPB60R180C7ATMA1-DG
SP001296224

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IPD09N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPB60R099CPAATMA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

infineon-technologies

IPDD60R190G7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10

infineon-technologies

IPB06N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK