Framleiðandi Vöru númer:
IPB60R160P6ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB60R160P6ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
2850 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799740
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB60R160P6ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P6
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
23.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 750µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2080 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
176W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB60R160
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB60R160P6ATMA1-DG
448-IPB60R160P6ATMA1TR
448-IPB60R160P6ATMA1DKR
SP001313876
448-IPB60R160P6ATMA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BTS282ZE3180AATMA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
