Framleiðandi Vöru númer:
IPB60R099C7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB60R099C7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
12799751
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB60R099C7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1819 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
110W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB60R099
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB60R099C7ATMA1CT
IPB60R099C7ATMA1DKR
IPB60R099C7ATMA1TR
2156-IPB60R099C7ATMA1
IPB60R099C7ATMA1-DG
IFEINFIPB60R099C7ATMA1
SP001297998
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSZ520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
IPC90N04S5L3R3ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
BSS127L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
