Framleiðandi Vöru númer:
IPB60R060P7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB60R060P7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
891 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12805176
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB60R060P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 800µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2895 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
164W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB60R060
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB60R060P7
IPB60R060P7ATMA1DKR
IPB60R060P7ATMA1-DG
IPB60R060P7ATMA1TR
IPB60R060P7ATMA1CT
SP001664882
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFB23N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
IRF5802TR
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
IPB65R310CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
