Framleiðandi Vöru númer:
IPB60R060C7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB60R060C7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Birgðir:
877 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12859992
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB60R060C7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 800µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2850 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
162W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK (TO-263)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB60R060
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP001385008
IPB60R060C7ATMA1-DG
IPB60R060C7ATMA1TR
IPB60R060C7ATMA1CT
IPB60R060C7ATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
HAT2116H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
NTMFS4839NHT1G
MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
IRFI540GPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3