Framleiðandi Vöru númer:
IPB50CN10NGATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB50CN10NGATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
12799914
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB50CN10NGATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1090 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
44W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP000277696
IPB50CN10N G
INFINFIPB50CN10NGATMA1
IPB50CN10NGATMA1TR
IPB50CN10N G-DG
2156-IPB50CN10NGATMA1-ITTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB30NF10T4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
971
HLUTARNÁMR
STB30NF10T4-DG
Einingaverð
0.66
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
PHB27NQ10T,118
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
7068
HLUTARNÁMR
PHB27NQ10T,118-DG
Einingaverð
0.55
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPA80R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
