Framleiðandi Vöru númer:
IPB120N04S402ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB120N04S402ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
1734 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801472
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB120N04S402ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10740 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
158W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB120N04S402ATMA1TR
SP000764726
IPB120N04S4-02-DG
IPB120N04S402ATMA1DKR
IPB120N04S402ATMA1CT
IPB120N04S4-02
IFEINFIPB120N04S402ATMA1
2156-IPB120N04S402ATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP120N04S302AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
IPN50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
IPI80N08S406AKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
