Framleiðandi Vöru númer:
IPB108N15N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB108N15N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
3546 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804746
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB108N15N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3230 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
214W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB108
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB108N15N3 GDKR
IPB108N15N3 GCT
IPB108N15N3GATMA1CT
IPB108N15N3 G-DG
SP000677862
IPB108N15N3 GTR-DG
IPB108N15N3G
IPB108N15N3 GCT-DG
IPB108N15N3 G
IPB108N15N3GATMA1DKR
IPB108N15N3GATMA1TR
2156-IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3 GDKR-DG
INFINFIPB108N15N3GATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
IRFL024Z
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3