Framleiðandi Vöru númer:
IPB039N10N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB039N10N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Birgðir:
29647 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13064036
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB039N10N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
OptiMOS™
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 160µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8410 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
214W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
IPB039
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB039N10N3 GCT-ND
SP000482428
IPB039N10N3 GTR-ND
IPB039N10N3 GTR
IPB039N10N3GATMA1TR
IPB039N10N3 GDKR
IPB039N10N3 G
IPB039N10N3G
IPB039N10N3 GCT
IPB039N10N3 GDKR-ND
IPB039N10N3GATMA1CT
IPB039N10N3 G-ND
IPB039N10N3GATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFB3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
IPP65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
