Framleiðandi Vöru númer:
IPB029N06N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB029N06N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
29422 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804114
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB029N06N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
188W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB029
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB029N06N3G
IPB029N06N3 GCT
IPB029N06N3 G-DG
IPB029N06N3 GDKR-DG
IPB029N06N3GATMA1CT
IPB029N06N3 GTR-DG
IPB029N06N3GATMA1DKR
IPB029N06N3 GCT-DG
IPB029N06N3GATMA1TR
IPB029N06N3 GDKR
IPB029N06N3 G
SP000453052
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF6633ATRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
