Framleiðandi Vöru númer:
IPB027N10N5ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB027N10N5ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
2407 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804574
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB027N10N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 184µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10300 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB027
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB027N10N5ATMA1CT
INFINFIPB027N10N5ATMA1
SP001227034
2156-IPB027N10N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1TR
IPB027N10N5ATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR3706TR
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRF1407L
MOSFET N-CH 75V 100A TO262
IRFB7434PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB