Framleiðandi Vöru númer:
IPB020N10N5ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB020N10N5ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
7082 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801326
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB020N10N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
15600 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB020
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB020N10N5ATMA1CT
IPB020N10N5ATMA1DKR
2156-IPB020N10N5ATMA1TR
SP001132558
IPB020N10N5ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPB120P04P404ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
IPD65R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3