Framleiðandi Vöru númer:
IPB017N08N5ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB017N08N5ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
1367 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801600
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB017N08N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
16900 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB017
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
2156-IPB017N08N5ATMA1
IPB017N08N5ATMA1CT
IFEINFIPB017N08N5ATMA1
SP001132472
IPB017N08N5ATMA1TR
IPB017N08N5ATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
