Framleiðandi Vöru númer:
IPB015N08N5ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB015N08N5ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Birgðir:
12862186
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB015N08N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 279µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
16900 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
IPB015
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB015N08N5ATMA1TR
IPB015N08N5ATMA1CT
IPB015N08N5ATMA1DKR
SP001226034
IPB015N08N5ATMA1-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
RJK0349DSP-00#J0
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
RJK5030DPP-M0#T2
MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL
RJK6013DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
