Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPAN60R800CEXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPAN60R800CEXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 8.4A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Birgðir:
RFQ á netinu
12843395
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPAN60R800CEXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
373 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
27W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPAN60
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPAN60R800CEXKSA1-DG
Gagnaplakks
IPAN60R800CEXKSA1
Gagnablöð
IPAN60R800CE
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001508822
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP10NK60ZFP
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1027
HLUTARNÁMR
STP10NK60ZFP-DG
Einingaverð
1.49
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
TK9A60D(STA4,Q,M)
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
44
HLUTARNÁMR
TK9A60D(STA4,Q,M)-DG
Einingaverð
0.77
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FCPF850N80Z
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
1000
HLUTARNÁMR
FCPF850N80Z-DG
Einingaverð
1.16
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPAN60R600P7SXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
400
HLUTARNÁMR
IPAN60R600P7SXKSA1-DG
Einingaverð
0.59
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
AON6435
MOSFET P-CH 30V 12A/34A 8DFN
NTMFS4C10NAT1G
MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
NTMYS2D4N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
NVMFS5C404NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN