Framleiðandi Vöru númer:
IPA90R1K0C3XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPA90R1K0C3XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 5.7A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Birgðir:
12805723
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPA90R1K0C3XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 370µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
850 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
32W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA90R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
2156-IPA90R1K0C3XKSA1
IFEINFIPA90R1K0C3XKSA1
IPA90R1K0C3-DG
SP000413712
IPA90R1K0C3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STF7N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1953
HLUTARNÁMR
STF7N60M2-DG
Einingaverð
0.48
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STF8NK100Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
444
HLUTARNÁMR
STF8NK100Z-DG
Einingaverð
2.16
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
IPA95R750P7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPA95R750P7XKSA1-DG
Einingaverð
0.80
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFP4232PBF
MOSFET N-CH 250V 60A TO247AC
IRFZ44NSPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
IRFS17N20D
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
