Framleiðandi Vöru númer:
IPA65R190CFDXKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPA65R190CFDXKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Birgðir:
143 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804702
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPA65R190CFDXKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CFD2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 700µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
34W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA65R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001977024
IPA65R190CFDXKSA2-DG
448-IPA65R190CFDXKSA2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF2807ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO262
IPW60R145CFD7XKSA1
MOSFET HIGH POWER
IRFH5301TRPBF
MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
