Framleiðandi Vöru númer:
IPA65R190C7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPA65R190C7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Birgðir:
12799124
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPA65R190C7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
30W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA65R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001080140
IFEINFIPA65R190C7XKSA1
2156-IPA65R190C7XKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STF28NM60ND
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
940
HLUTARNÁMR
STF28NM60ND-DG
Einingaverð
4.07
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
TK16A60W,S4VX
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
19
HLUTARNÁMR
TK16A60W,S4VX-DG
Einingaverð
1.18
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRF4104
MOSFET N-CH 40V 75A TO220
BSC032NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
BSC014N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
