IPA65R190C7
Framleiðandi Vöru númer:

IPA65R190C7

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPA65R190C7-DG

Lýsing:

IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack

Birgðir:

12946881
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPA65R190C7 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
30W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220 Full Pack
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
194
Önnur nöfn
2156-IPA65R190C7
IFEINFIPA65R190C7

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FDPF5N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDA16N50LDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

international-rectifier

IRFH7914TRPBF

IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDPF12N50NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1