Framleiðandi Vöru númer:
IPA60R650CEXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPA60R650CEXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Birgðir:
383 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12802759
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPA60R650CEXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
28W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA60R650
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
2156-IPA60R650CEXKSA1
SP001276044
ROCINFIPA60R650CEXKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD60R385CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
IRF540ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IPU50R1K4CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
