Framleiðandi Vöru númer:
IPA60R099P7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPA60R099P7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Birgðir:
12799765
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPA60R099P7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 530µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1952 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
29W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA60R099
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001658390
2156-IPA60R099P7XKSA1
IFEINFIPA60R099P7XKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFP34N65X2M
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
285
HLUTARNÁMR
IXFP34N65X2M-DG
Einingaverð
3.65
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
R6030KNXC7
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
1500
HLUTARNÁMR
R6030KNXC7-DG
Einingaverð
1.76
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSO301SPHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
IPB020N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
IPD60R180P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
