Framleiðandi Vöru númer:
IPA029N06NXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPA029N06NXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 84A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Birgðir:
494 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800187
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPA029N06NXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
84A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 84A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 75µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5125 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
38W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA029
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IPA029N06NXKSA1-DG
SP001199858
448-IPA029N06NXKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP048N06L G
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
IPB147N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK